Descripción
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Orificio pasante
Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 70 V
Id – Corriente de drenaje continua: 35 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 28 Mohms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Dp – Disipación de potencia: 125 W
Transconductancia hacia delante – Mín.: 25 S
Número de pines: 3
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