Descripción
DESCRIPCIÓN
Fabricante: onsemi
Tipo de transistor: JFET
Tipo FET: Canal N
Voltaje – Perturbación del suministro (V(BR)GSS): 35 V
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0): 2 mA @ 15 V
Voltaje – Corte (VGS apagado) a Id: 500 mV @ 1 µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds, –
Resistencia – RDS (Encendido): 100 Ohms
Potencia – Máx.: 625 mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Número de pines: 3
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