GAL20V8

CARACTERISTICAS:
• ALTO RENDIMIENTO E2CMOS® TECNOLOGÍA
– 5 ns demora de propagación máxima
– Fmax = 166 MHz
– 4 ns máxima de reloj de entrada a salida de datos
– UltraMOS® avanzada tecnología CMOS
• 50% a 75% REDUCCIÓN EN EL PODER DE BIPOLAR
– 75 mA Typ Icc en Baja Dispositivo de alimentación
– 45 mA Typ Icc en Barrio Dispositivo de alimentación
• ACTIVE PULL-UPS EN TODAS PINS
• E2 TECNOLOGÍA CELULAR
– Lógica Reconfigurable
– Las células reprogramables
– El 100% probado / 100% Rendimientos
– Eléctrico de alta velocidad Erasure (<100 ms)
– 20 años de retención de datos
• OCHO macroceldas LÓGICA DE SALIDA
– Máxima flexibilidad para los Dibujos y lógica compleja
– Polaridad de salida programable
– También Emula Dispositivos Pal® 24 pines con la función completa /
Fusible Mapa / paramétrico Compatibilidad
• precarga y restablecimiento al encendido de todos los registros
– 100% funcional Comprobabilidad
• Las aplicaciones incluyen:
– Control DMA
– Control de la Máquina de Estado
– El procesamiento de gráficos de alta velocidad
– Actualización de lógica estándar velocidad
• FIRMA ELECTRÓNICA PARA LA IDENTIFICACIÓN

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