BPW77NA Fototransistor

BPW77NA Fototransistor

$70.00 IVA

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SKU: 1611167 Categorías: , ,

Descripción

BPW77NA Fototransistor

El BPW77NA es un fototransistor NPN de silicio con alta sensibilidad radiante, en un encapsulado herméticamente sellado TO-18, con terminal base. Es sensible a la radiación visible y cercana al infrarrojo.

Su lente de cristal con un ángulo de visión de ± 10° lo hace insensible a la luz ambiente.

Un terminal base está disponible para activar la polarización y el control de sensibilidad.

 

Aplicaciones

Detector en circuitos de control y accionamiento electrónicos.

 

Características

Categoría de producto: Fototransistores.

Encapsulado: TO-18

Montaje: Through Hole

Longitud de onda máxima: 850 nm

Máxima corriente activada de colector: 50mA

Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 70 V

Tensión de disparo colector-emisor: 70V

Voltaje de saturación colector-emisor: 0.15 V

Corriente oscura: 100 nA

Disipación de potencia: 250 mW

Temperatura de trabajo mínima: -40 C

Temperatura de trabajo máxima: +125 C

Grados del ángulo de media intensidad: 10 deg

Longitud de onda: 850 nm

Corriente de luz: 15 mA

Altura: 6.15 mm

Longitud: 5.5 mm

Ancho: 5.5 mm

 

Sustituto

BPW77NB

DataSheet

BPW77NA

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