Descripción
BPW77NA Fototransistor
El BPW77NA es un fototransistor NPN de silicio con alta sensibilidad radiante, en un encapsulado herméticamente sellado TO-18, con terminal base. Es sensible a la radiación visible y cercana al infrarrojo.
Su lente de cristal con un ángulo de visión de ± 10° lo hace insensible a la luz ambiente.
Una terminal base está disponible para activar la polarización y el control de sensibilidad.
Aplicaciones
Detector en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características
-Categoría de producto: Fototransistores.
-Encapsulado: TO-18
-Montaje: Through Hole
-Longitud de onda: 850 nm
-Máxima corriente activada de colector: 50mA
-Tensión de disparo colector-emisor: 70V
-Voltaje de saturación colector-emisor: 0.15 V
-Corriente oscura: 100 nA
-Disipación de potencia: 250 mW
-Temperatura de trabajo mínima: -40 C
-Temperatura de trabajo máxima: +125 C
-Grados del ángulo de media intensidad: 10 deg
-Corriente de luz: 15 mA
-Altura: 6.15 mm
-Longitud: 5.5 mm
-Ancho: 5.5 mm
Sustituto
BPW77NB
