GAL22V10

Especificaciones

Alto rendimiento E2CMOS ® TECNOLOGÍA
Máximo 4 ns Retardo de propagación
Fmax = 250 MHz
3.5 ns máximo de entrada de reloj a la salida de datos
UltraMOS ® Advanced CMOS Tecnología
ACTIVE PULL-UPS EN TODOS LOS PINS
compatible con los dispositivos 22V10
Totalmente Función / Fusible-Map / Parametric Compatible
con Bipolar y dispositivos UVCMOS 22V10
50% a un 75% de reducción de potencia frente BIPOLAR
90mA típico Icc en dispositivos de bajo consumo
45mA típico Icc en Dispositivo de alimentación Barrio
E2 TECNOLOGÍA CELULAR
Lógica Reconfigurable
Las células reprogramables
100% Los rendimientos Tested/100%
Erasure alta velocidad eléctrico (<100 ms)
20 años de retención de datos
DIEZ macrocélulas salida lógica
Máxima flexibilidad para los diseños lógicos complejos
Y PRECARGA power-on reset DE REGISTROS
Capacidad de prueba 100% funcional
Las aplicaciones incluyen:
Control de DMA
Estado de control de unidades
Alta velocidad de procesamiento gráfico
Actualización Estándar Velocidad Lógica
FIRMA ELECTRÓNICA PARA LA IDENTIFICACIÓN
Encapsulado DIP
24 pines

DataSheet